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【特权FPGA】之SRAM读写_sram读写时序

网友: 技术文档 2025-07-30 11:04:05

1 前言

SRAM（静态随机存取存储器）是一种基于双稳态触发器设计的半导体存储器，通过电路自身的稳态特性存储数据，无需周期性刷新即可维持信息1。与DRAM（动态随机存取存储器）不同，SRAM在通电期间数据始终稳定，因此具有更高的访问速度和更低的延迟。

应用场景
  • CPU缓存：如L1/L2/L3缓存，利用SRAM的高速特性减少CPU与主存间的延迟1。
  • 高速寄存器：用于存储处理器核心的临时数据，支持快速计算。
  • 嵌入式系统：在实时性要求高的场景（如网络设备、航天器）中作为关键存储器。
  • 低功耗设备：因静态特性，适合电池供电设备中需快速唤醒的场景。

说来也惭愧，自己十年前学的知识，十年后，由于自己的原因，有的要重头开始，再学一遍。不管是做项目也好，做学术也罢。知识永远都是相互贯通的。比如说当你拿到了一块芯片。你如果想要了解这款芯片，就要先看看他的datasheet。然后实现他的数字功能。

本文借助特权老师这座大山，简单浅显的给大家分享一下我对SRAM的理解。

我很想给大家免费分享下IS62LV256这款芯片的datasheet，但是我不知道该如何分享。似乎没有一个好的办法。这里就以本实验使用的 IS62LV256-70U 为例进行说明。

2 IS62LV256用户手册

功能框图

作为一名合格的硬件工程师，看datasheet往往是工作开展的第一步。

表1 SRAM管脚定义

具体在硬件连接的时候，其实很多人喜欢直接把输出使能信号 OEn 和片选信号 CEn 接地，这样一来不仅节省了处理器和 SRAM 连接的管脚数，而且在读写 SRAM的时候其实只要对写使能信号 WEn 操作就可以了，简化了代码部分。本设计的硬件原理图如下图所示。 

 因为在硬件上已经把 CEn 和 OEn 拉低了，所以在不进行写 SRAM 的时候，实际上 SRAM 的数据总线上的值是对应地址总线的数据。为了避免误操作，可以把地址总线置高阻态，如果不去操作数据总线（最好不是复用的数据总线）也无大碍。因为这样简化了设计。对于 SRAM 的操作时序，只要关心地址总线、数据总线和写使能 WEn 信号。

SRAM读时序

SRAM写时序

 表2 SRAM读写实验接口定义

该实验实现了对 SRAM 的每一个地址进行遍历读写操作，然后比对读写前后的数据是否正确，最后通过一个 LED 灯的亮灭进行指示。

3 整体代码

`timescale 1ns / 1ps////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////module sram_test(clk,rst_n,led,sram_addr,sram_wr_n,sram_data);input clk;// 50MHzinput rst_n;// 低电平复位output led;// LED1// CPLD与SRAM外部接口output[14:0] sram_addr;// SRAM地址总线output sram_wr_n;// SRAM写选通inout[7:0] sram_data;// SRAM数据总线reg[25:0] delay;//延时计数器,控制LED灯的亮灭 always @ (posedge clk or negedge rst_n)if(!rst_n) delay <= 26\'d0;else delay <= delay+1;//不断计数，周期约为1.28sreg[7:0] wr_data;// SRAM写入数据总线reg[7:0] rd_data;// SRAM读出数据 reg[14:0] addr_r;// SRAM地址总线wire sram_wr_req;// SRAM写请求信号wire sram_rd_req;// SRAM读请求信号reg led_r;// LED寄存器assign sram_wr_req = (delay == 26\'d9999);//产生写请求信号assign sram_rd_req = (delay == 26\'d19999);//产生读请求信号always @ (posedge clk or negedge rst_n)if(!rst_n) wr_data <= 8\'d0;else if(delay == 26\'d29999) wr_data <= wr_data+1\'b1;//写入数据每1.28s自增1always @ (posedge clk or negedge rst_n)if(!rst_n) addr_r <= 15\'d0;else if(delay == 26\'d29999) addr_r <= addr_r+1\'b1;//写入地址每1.28s自增1always @ (posedge clk or negedge rst_n)if(!rst_n) led_r <= 1\'b0;else if(delay == 26\'d20099) begin//每1.28s比较一次同一地址写入和读出的数据if(wr_data == rd_data) led_r <= 1\'b1;//写入和读出数据一致，LED点亮else led_r <= 1\'b0;//写入和读出数据不同，LED熄灭endassign led = led_r;`defineDELAY_80NS(cnt==3\'d7)reg[2:0] cnt;//延时计数器always @ (posedge clk or negedge rst_n)if(!rst_n) cnt <= 3\'d0;else if(cstate == IDLE) cnt <= 3\'d0;else cnt <= cnt+1\'b1;// 两段式状态机parameterIDLE= 4\'d0,WRT0= 4\'d1,WRT1= 4\'d2,REA0= 4\'d3,REA1= 4\'d4;reg[3:0] cstate,nstate;// 时序逻辑always @ (posedge clk or negedge rst_n)if(!rst_n) cstate <= IDLE;else cstate <= nstate;// 组合逻辑always @ (cstate or sram_wr_req or sram_rd_req or cnt)case (cstate)IDLE: if(sram_wr_req) nstate <= WRT0;//进入写状态 else if(sram_rd_req) nstate <= REA0;//进入读状态 else nstate <= IDLE;WRT0: if(`DELAY_80NS) nstate <= WRT1; else nstate <= WRT0;//延时等待160nsWRT1: nstate <= IDLE;//写结束，返回REA0: if(`DELAY_80NS) nstate <= REA1; else nstate <= REA0;//延时等待160nsREA1: nstate <= IDLE;//读结束，返回default: nstate <= IDLE;endcase//-------------------------------------assign sram_addr = addr_r;// SRAM地址总线连接//-------------------------------------reg sdlink;// SRAM数据总线控制信号always @ (posedge clk or negedge rst_n)if(!rst_n) rd_data <= 8\'d0;else if(cstate == REA1) rd_data <= sram_data;//读出数据always @ (posedge clk or negedge rst_n)if(!rst_n) sdlink <=1\'b0; elsecase (cstate)IDLE: if(sram_wr_req) sdlink <= 1\'b1;//进入连续写状态，，sram内部寄存器接收数据 else if(sram_rd_req) sdlink  FPGA，SRAM的输入接口是高阻 else sdlink <= 1\'b0;WRT0: sdlink <= 1\'b1;default: sdlink <= 1\'b0;endcaseassign sram_data = sdlink ? wr_data : 8\'hzz;// SRAM地址总线连接assign sram_wr_n = ~sdlink;endmodule

  • 写操作：当写使能/有效时，数据流向为CPU→SRAM，此时SRAM内部锁存器接收数据
assign sram_data = sdlink ? wr_data : 8\'hzz;// sdlink==1
  • 读操作：当输出使能/有效时，数据流向为SRAM→CPU，此时数据线呈现驱动状态
sram_data = sdlink ? wr_data : 8\'hzz; //sdlink ==0

FPGA读取SRAM中的数据，SRAM的输入是高阻状态。

4 仿真代码

`timescale 1ns/1nsmodule tb_sramtest();//inputreg clk;// 50MHzreg rst_n;//低电平复位//outputwire led;// LED1wire[14:0] sram_addr;// SRAM地址总线wire sram_wr_n;// SRAM写选通//inoutwire [7:0] sram_data;// SRAM数据总线sram_testsram_test(.clk(clk),.rst_n(rst_n),.led(led),.sram_addr(sram_addr),.sram_wr_n(sram_wr_n),.sram_data(sram_data));initial beginrst_n = 0;#200; rst_n = 1;endinitial beginclk = 0;forever #10 clk = ~clk;endendmodule

4 总结

这节内容使用了2段式的状态机。代码给人的直观感受就是很清晰明了。

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